NEZ1011-2E ， NEZ1414-2E
推荐工作极限
特征
漏源极电压
增益压缩
通道温度
栅极电阻
记
符号
V
DS
GCOMP
T
ch
R
g
200
1000
测试条件
分钟。
9.0
典型值。
9.0
马克斯。
9.0
3
+130
1000
单位
V
dB
°C
记
R
g
是栅极电源和FET的栅极之间的串联电阻。
[NEZ1011-2E]
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
饱和漏极电流
捏-O FF电压
栅漏击穿电压
热阻
线性增益
1 dB增益比较的输出功率。
漏极电流为1 dB增益比较。
以1 dB的功率附加效率
增益压缩点
三阶互调
失真
符号
I
DSS
V
p
BV
GD
R
th
G
L
P
O（1 dB为单位）
I
DS （1 dB为单位）
测试条件
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V，I
DS
= 10毫安
I
GD
= 10毫安
渠道情况
F = 10.7 ， 11.2 ， 11.7千兆赫
V
DS
= 9.0 V
I
DS
= 0.7 A（ RF OFF）
R
g
= 1 k
8.0
33.0
分钟。
0.7
–2.5
典型值。
1.6
–1.3
15
5.5
8.5
34.0
0.8
30
1.0
7.0
马克斯。
2.5
–0.5
单位
A
V
V
° C / W
dB
DBM
A
%
η
添加（1 dB为单位）
IM
3
P
OUT
= 27.5 dBm的（ 2音）
–40
dBc的
[NEZ1414-2E]
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
饱和漏极电流
捏-O FF电压
栅漏击穿电压
热阻
线性增益
1 dB增益比较的输出功率。
漏极电流为1 dB增益比较。
以1 dB的功率附加效率
增益压缩点
符号
I
DSS
V
p
BV
GD
R
th
G
L
P
O（1 dB为单位）
I
DS （1 dB为单位）
测试条件
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V，I
DS
= 10毫安
I
GD
= 10毫安
渠道情况
F = 14.0 14.5 GHz的
V
DS
= 9.0 V
I
DS
= 0.7 A（ RF OFF）
R
g
= 1 k
7.0
33.0
分钟。
0.7
–3.0
典型值。
1.6
–1.3
15
5.5
7.5
34.0
0.8
30
1.0
7.0
马克斯。
3.0
–0.5
单位
A
V
V
° C / W
dB
DBM
A
%
η
添加（1 dB为单位）
2
