NX25F011B
NX25F021B
NX25F041B
兼容性的命令25xxxA
系列设备
从SRAM中读取（ 81H ）
该
从SRAM读
命令（ 81H ）提供了访问
264字节的SRAM独立于任何闪存
数组操作。该命令是类似于
从阅读
从阅读
SRAM
命令
SI
SO
*字节地址仅使用位[ 8：0]
81H
扇形
命令除了扇区地址字段
S [ 15：0 ]，它被替换为全0的位。
16个时钟
0000H
字节
地址*
B[15:0]
16个时钟
0000H
RB [15：0 ]
第一个字节 - 最后字节
读/忙
状态
读SRAM数据
写入SRAM （ 82H ）
该
写入SRAM
命令（ 82H ）提供了访问
264字节的SRAM独立于任何闪存
数组操作。该命令是类似于
写
扇形
所不同的是该扇区的命令序列
地址字段S [ 15：0]被替换为全0的位。当
CS
为高电平，完成命令，内容
写
SRAM
命令
SI
SO
*字节地址仅使用位[ 8：0]
82H
SRAM的将被保持，直到通过覆盖
另一个命令或切断电源。使用
写入SRAM
命令，数据可以在制备装
灰写入到存储器中的扇区，然后转移
到一个选定的扇区使用
SRAM传输到部门
命令。
16个时钟
0000H
字节
地址*
B[15:0]
写扇区数据
第一个字节 - 最后字节
8个时钟
00H
26
NexFlash技术公司
初步
NXSF016F-1201
12/12/01
