NX25F011B
NX25F021B
NX25F041B
串行SRAM COMMANDS
写入SRAM命令（ 72H ）
该
写入SRAM
命令（ 72H ）提供了访问
264字节的SRAM独立于任何闪存
数组操作。当
CS
为高电平来完成
该命令时， SRAM的内容还会继续保持
tained直至通过另一命令或覆盖
电源被移除。使用
写入SRAM
命令，
数据可以在准备写入的被加载到一个扇区中
用存储器中，然后转移到一个选定的扇区
该
SRAM传输到部门
命令。在本TR位
状态寄存器，应先检查是否
部门转移到
SRAM
or
比较行业以SRAM
命令被使用。
1
2
3
写
SRAM
命令
SI
SO
72H
字节
地址*
B[15:0]
写扇区数据
第一个字节 - 最后字节
8个时钟
00H
4
5
6
*字节地址仅使用位[ 8：0]
从SRAM中读取（ 71H ）
该
从SRAM读
命令（ 71H ）提供了访问
264字节的SRAM独立于任何闪存
数组操作。在状态寄存器中的TR位应该是
首先检查是否
部门转移到SRAM
or
行业比较
到SRAM
命令被使用。
7
8
9
10
第一个字节最后字节
从阅读
SRAM
命令
SI
SO
71H
字节
地址*
B[15:0]
8个时钟
00H
11
12
读SRAM数据
*字节地址仅使用位[ 8：0]
NexFlash技术公司
初步
NXSF016F-1201
12/12/01
19
