AO4601
P沟道MOSFET的电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-8A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -20V ，我
D
=-8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-8A
16
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
-1.7
40
16
20.5
15
33
21
-0.75
-1
-2.6
2076
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
503
302
2
39
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-8A
8
11.4
12.7
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=1.8,
R
根
=3
I
F
= -8A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
-30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
-1
-5
±100
-2.5
-3
19
25
18
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
7
25.2
12
32
26
体二极管反向恢复电荷我
F
= -8A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
启3 ： 2005年9月
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