RF连接特定的阳离子
表5.模式GMSK E- GSM频段规格
（德克萨斯州
在 - 磅
= 3.0 dBm时， V
BAT
= 3.6 V, V
坡道
= 0.1 2.2 V的脉冲，周期= 4.6毫秒，占空比= 25 ％ ， LB_HB = 0 V ，
V
REG
= 2.8 V， TX_EN = 2.8 V，T
A
= 25 ° C± 5 ° C除非另有说明）
特征
工作频率
在高V输出功率
坡道
在V输出功率
RNG
, T
RNG
在高V
坡道
功率附加效率@ P
O
(H)
在低输出功率电流消耗（P
O
设置为6.0 dBm的）
正向隔离（V
坡道
= 0 V ， TX_EN = 0 V）在V
RNG
,
T
RNG
谐波水平比V
RNG
, T
RNG
TX噪声接收E- GSM频段
@
P
O
= P
O（高）
RBW =
100千赫
NRx1 F
RX
= 925-935兆赫
NRx2 F
RX
= 935-960兆赫
输入VSWR
二次谐波泄漏的DCS / PCS超过V
RNG
, T
RNG
at
高V
坡道
负载不匹配的稳定性
各个角度
设置Vramp而使那里宝（H ）
≤
34.2 dBm的到50
负载
所有的虚假< -36 dBm时， RBW = 3兆赫
负载失配耐用
各个角度
设置Vramp而使那里宝（H ）
≤
34.2 dBm的到50
负载
无损伤，无退化
功率控制范围V
RNG
, T
RNG
Γ
IN
X
TALK
VSWR
符号
F
0
P
O（高）
P
O
（ HX ）
PAE
I
DD
(L)
Iso1
2 F
0
3 F
0
民
880
34.2
32.2
50
-
-
-
典型值
-
34.9
-
56
-
-
-
最大
915
-
-
-
150
-20
-10
-10
单位
兆赫
DBM
DBM
%
mA
DBM
DBM
DBM
-
-
-
-
6:1
-
-
12
-
-
-77
-82
-
-15
-
dB
DBM
VSWR
20:1
-
-
R
PC
35
-
-
dB
表6.模式GMSK DCS频段规格
（德克萨斯州
IN_HB
= 3 dBm时， V
BAT
= 3.6 V, V
坡道
= 0.1 2.2 V的脉冲，周期= 4.6毫秒，占空比= 25 ％ ， LB_HB = 2.8 V，
V
REG
= 2.8 V， TX_EN = 2.8 V，T
A
= 25 ° C± 5 ° C除非另有说明）
特征
工作频率
在高V输出功率
坡道
在V输出功率
RNG
, T
RNG
在高V
坡道
功率附加效率@ P
O
(H)
在低输出功率电流消耗（P
O
设置为1.5 dBm的）
正向隔离（V
坡道
= 0 V ， TX_EN = 0 V）在V
RNG
,
T
RNG
符号
F
0
P
O（高）
P
O
（ HX ）
PAE
I
DD
(L)
Iso1
民
1710
31.5
29.5
40
-
-
典型值
-
33.0
-
46
-
-
最大
1785
-
-
-
150
-28
单位
兆赫
DBM
DBM
%
mA
DBM
MMM6035超前信息，牧师2.4
飞思卡尔半导体公司
5
