半导体
技术参数
VHF / UHF宽带放大器应用。
KTC3600S
外延平面NPN晶体管
特点
低噪声系数，增益高。
NF = 1.1分贝， | S
21e
|
2
= 13分贝（ F = 1GHz的） 。
D
L
E
B
L
2
A
G
H
1
3
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
20
10
1.5
40
150
150
-55 150
单位
P
P
V
V
V
mA
mW
C
N
J
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.40+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
K
M
1.发射器
2.基
3.收集
SOT-23
记号
h
FE
秩
LOT号
型号名称
R
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极输出电容
反向传输电容
跃迁频率
插入增益
|S
21e
|
2
(2)
NF （1）
噪声系数
NF（ 2）
V
CE
= 8V ，我
C
= 5毫安， F = 2GHz的
-
1.7
-
dB
注1 ：H
FE
分类
H： 50 100 ，J ： 80 160 ， K： 125 250
注2 ：C
re
由3端子法与电容电桥测量。
V
CE
= 8V ，我
C
= 20mA时， F = 2GHz的
V
CE
= 8V ，我
C
= 5毫安中，f = 1GHz的
-
-
7
1.1
-
2.5
dB
dB
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
(Note1)
C
ob
V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F = 1MHz的（注2 ）
C
re
f
T
|S
21e
|
2
(1)
V
CE
= 8V ，我
C
=20mA
V
CE
= 8V ，我
C
= 20mA时， F = 1GHz的
-
7
10
0.5
10
13
0.95
-
-
pF
GHz的
dB
测试条件
V
CB
= 10V ，我
E
=0
V
EB
= 1V ，我
C
=0
V
CE
= 8V ，我
C
=20mA
分钟。
-
-
50
-
典型值。
-
-
-
0.7
马克斯。
1
1
250
-
pF
单位
A
A
2007. 8. 22
版本号： 0
1/5
