MMUN2111LT1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在SOT -23
包是专为低功耗表面贴装应用。
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3脚
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
销1
BASE
（输入）
R1
R2
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SOT -23封装，可以使用波或回流焊接。该
焊接过程中修改鸥翼引线吸收热应力
消除损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹卷带包装。设备号
订购的7英寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与“ T3 ”的
设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
VCBO
VCEO
IC
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
3
1
2
SOT–23
CASE 318
类型6
标记图
A6x M
热特性
特征
器件总功耗
TA = 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
PD
最大
246 （注1 ）
400 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
508 （注1 ）
311 （注2 ）
174 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
° C / W
° C / W
A6x
=器件标识
x
= A - L（见
第2页）
M
=日期代码
R
θJA
R
θJL
TJ ， TSTG
器件标识信息
° C / W
°C
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 第2版
出版订单号：
MMUN2111LT1/D
