KSE800/801/802/803
典型特征
5
10000
A
I
B
= 500
V
CE
= 3V
I
C
（A ） ，集电极电流
4
I
B
= 350
A
3
h
FE
，直流电流增益
5
I
B
= 450
A
I
B
= 400
A
I
B
= 300
A
I
B
= 250
A
I
B
= 200
A
1000
I
B
= 150
A
I
B
= 100
A
2
100
1
I
B
= 50
A
0
0
1
2
3
4
10
0.01
0.1
1
10
V
CE
（V ） ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
100
1000
I
C
= 500 I
B
f=0.1MHZ
I
E
=0
C
ob
[ pF的] ，电容
10
100
V
BE
（SAT）
1
10
V
CE
（SAT）
0.1
0.01
0.1
1
10
1
0.01
0.1
1
10
100
I
C
[A] ，集电极电流
V
CB
[V] ，集电极 - 基极电压
图3.集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
图4.集电极输出电容
100
60
50
I
C
[A] ，集电极电流
P
C
[W] ，功率耗散
1000
10
40
10
0
s
1m
s
5m
s
D
.C
.
30
1
20
KSE800/801
KSE802/803
0.1
1
10
100
10
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图5.安全工作区
图6.功率降额
2001仙童半导体公司
牧师A3 ， 2001年6月
