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辐射特性
IRHY57Z30CM ， JANSR2N7482T3
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 257AA ）
二极管的正向电压
高达500K拉德（SI ）
1
1000K拉德（SI ）
2
单位
民
最大
民
最大
30
2.0
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
10
0.025
0.03
1.2
30
1.5
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
25
0.03
0.035
1.2
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=18A
V
GS
= 12V，我
D
=18A
V
GS
= 0V ， IS = 18A
1.部件号IRHY57Z30CM （ JANSR2N7482T3 ） ， IRHY53Z30CM （ JANSF2N7482T3 ）和IRHY54Z30CM （ JANSG2N7482T3 ）
2.产品编号IRHY58Z30CM （ JANSH2N7482T3 ）
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
I
LET
（兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
28
37
60
能源
（兆电子伏）
261
285
344
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
40
30
30
30
25
15
37
30
30
30
23
15
33
25
25
20
15
8
35
30
25
20
15
10
5
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Cu
Br
I
VDS
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
