位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第288页 > ISL612XSEQEVAL1 > ISL612XSEQEVAL1 PDF资料 > ISL612XSEQEVAL1 PDF资料2第19页
ISL6123 ， ISL6124 ， ISL6125 ， ISL6126 ， ISL6127 ， ISL6128 ， ISL6130
负电压排序
该ISL612X家庭可以使用充电泵GATE输出
来驱动场效应管，将控制和序列负
电压降低到标称-5V以最小的附加
外部电路。图22显示接通5V双极
耗材在一起，然后+ 2.5V和关断两种
正电源的-5V之后被关闭起来。
图23示出了最小的额外的外部电路，以
做到这一点。 5V的齐纳二极管被用于进行电平转换的
栅极驱动下的5V ，以防止过早导通时
GATE = 0V 。一旦栅极驱动电压> Vz的，那么FET
VGS > 5V ，确保全面开启一次GATE到达
VDD + 5.3V 。导通和关断的斜坡率可调节
与FET的栅极串联电阻值。在-V导轨定序
通过DLY_X电容值来实现正常
虽然在原型的调整应该被考虑到
微调实际电路的要求。
图24和25示出了一个高准确度-V检测
使用ISL6131和低成本低精度的电路-V
检测电路分别。
R1
VMON
R2
+偏置
R3
(1k)
+V
R5
(10k)
Q1 Si1300DL
或当量
到UVLO
ISL612X FOR
-V控制和
测序
ISL6131
OR
ISL6536A
PGOOD R4
(15K)
-BIAS
R6
-V
R1和R2定义-V UVLO水平
R3确保主管（ ISL6131和ISL6536A ） PGOOD拉
R4和R5为0V和+ V之间的Q1栅极偏置
为0V （电阻值适合-V = -5V和+ V = + 3.3V ）
图24. HGH准确性-V锁定
+V
R1
TO UVLO ISL612X来控制数据
与序列-V的
R2
-V
选择R1和R2的值来驱动UVLO
当-V足够目前的高
图25.精度低-V存在检测
应用注意事项
定时误差来源
在任何系统中有差异的贡献者，对于ISL612X
家族的定时误差主要贡献的三个来源。
电容时序不匹配错误
很显然，绝对电容值是错误的来源，
因此，较低的百分比公差电容有助于降低
这个误差源。图26示出了0.57ms的差
两者之间DLY_X输出斜坡到DLY_X门槛
电压，这5 ％的电容器是由一个共同的源。
在应用中，两个或更多的门或逻辑输出
必须具有并行转换，则建议一
普通门驱动器用于消除这个定时误差。
-VOUT
图22. ±电压排序
-VIN
R1
ISL612X门
D1
附加组件2
必要-V控制
和测序。
D1必要的，以防止过早开启。 R1用来容纳
FET VGS = 0V至D1 Vz的被克服。 R 1的值可以被改变，以
调整-V斜坡率。选择4MΩ和10MΩ之间的R1值
最初和微调电阻值的特定需求。
图23. - 电压FET驱动电路
图26.电容时序不匹配
19
FN9005.8
2007年2月5日
