位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第0页 > EM638325TS-10/-10G > EM638325TS-10/-10G PDF资料 > EM638325TS-10/-10G PDF资料1第50页
EtronTech
2Mega ×32 SDRAM
EM638325
图15.1 。交错列写周期（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 1 ）
T0
CLK
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CK1
CKE
CS ＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
BS0,1
A10
RAx上
RBW
A0~A9
RAx上
的CAx RBW
CBW
CBX
CBY
沙洲
的CBz
t
RP
DQM
高阻
DAx0
DAX1 DAx2 DAx3 DBw0DBw1 DBx0
DBx1 DBy0
DBy1 DAy0
DAy1
DBz0 DBz1
DBz2
DBz3
t
RCD
t
RRD
t
WR
t
RP
DQ
激活
命令
银行
激活
命令
B组
写
命令
B组
写
命令
B组
写
命令
B组
写
命令
银行
写
命令
银行
写
命令
B组
预充电
命令
银行
预充电
命令
B组
初步
50
1.4版
2005年10月
