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EtronTech
图5.自刷新进入&退出循环
2Mega ×32 SDRAM
EM638325
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
T18
T19
CLK
*注2
*注
1
*注4
*注3
t
RC （分钟）
t
SRX
*注5
*注6
*注7
CKE
t
PDE
t
IS
CS ＃
RAS ＃
*注8
*注8
CAS ＃
BS0,1
A0-A9
WE＃
DQM
DQ
高阻
高阻
自刷新进入
SelfRefresh退出
自动刷新
注意：要进入SelfRefresh模式
1. CS ＃ ， RAS ＃ & ＃ CAS与CKE应该是低在相同的时钟周期。
2.经过1个时钟周期，所有的输入，包括系统时钟可以不在乎，除了CKE 。
3.设备保持在SelfRefresh模式，只要CKE保持"low" 。
4.一旦器件进入SelfRefresh模式，最低限度吨
RAS
从SelfRefresh退出之前是必需的。
5.
6.
7.
8.
9.
要退出SelfRefresh模式
系统时钟重新启动并返回CKE高前保持稳定。
使CKE和CKE应设置为高的t最短时间
SRX
.
CS ＃开始从高点。
最低牛逼
RC
后CKE变高，完成SelfRefresh退出是必需的。
爆自动刷新4096次循环前SelfRefresh进入和退出SelfRefresh如果以后需要
系统采用爆裂刷新。
初步
24
1.4版
2005年10月
