FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109 600V N沟道MOSFET
2007年8月
FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109
600V N沟道MOSFET
特点
650V @T
J
= 150°C
典型。 RDS（ON） = 0.15Ω
超低栅极电荷（典型值的Qg = 55nC ）
低有效输出电容（典型值Coss.eff = 110pF ）
100 ％雪崩测试
的SuperFET
TM
描述
的SuperFET
TM
是， Farichild专有的新一代高
这是利用一种先进的充电电压MOSFET系列
优秀的低制衡机制的导通电阻和
更低的栅极电荷性能。
这种先进的技术已经针对减少
导通损耗，提供出色的开关性能，并
承受极端的dv / dt率和较高的雪崩能量。
因此，的SuperFET是非常适合于各种交流/直流
在开关模式工作的系统电源转换
小型化和更高的效率。
D
G
克
S
TO-247
FCH系列
TO-3P
g DS的
FCA系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
- 脉冲
（注1 ）
FCH20N60
600
FCA20N60
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
20
12.5
60
±
30
690
20
20.8
4.5
208
1.67
-55到+150
300
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
典型值。
--
0.24
--
马克斯。
0.6
--
41.7
单位
° C / W
° C / W
2007仙童半导体公司
1
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FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109牧师A3
