PD - 90587
重复性一个ALANCHE和dv / dt评分
V
HEXFET晶体管
直通孔（ TO- 204AA / AE ）
产品概述
产品型号
IRFAC40
IRFAC40
600V N沟道
BVDSS
DS （ ON）
I
D
600V 1.2
6.2Α
该HEXFET技术是关键，国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。
高效的几何形状和这个最新独特的加工
“最先进的”设计实现：极低的通态电阻
tance结合高跨导;再出众
诗能源和二极管恢复dv / dt能力。
该HEXFET晶体管还具有所有的好estab-
MOSFET的lished优点，例如电压控制，
非常快速的切换，易于并联和温度的
电气参数的稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
电源，电机控制，逆变器，斩波器，音频
放大器和高能量脉冲电路。
TO-3
产品特点：
n
n
n
n
n
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
密封式
简单的驱动要求
易于并联的
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 0V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 0V ， TC = 100℃
我DM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
6.2
3.9
25
125
1.0
±20
570
6.2
12.5
3.0
-55到150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
11.5(typical)
W
W / ℃，
单位
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
01/24/01
