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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V2300N
第3版， 1/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
信号输出和驱动器应用 - 主要用于CW大设计
频率高达600 MHz 。设备是无与伦比的，并适用于在使用中
工业，医疗和科学应用。
典型CW性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 900毫安，
P
OUT
= 300瓦， F = 220 MHz的
功率增益 - 25.5分贝
漏极效率 - 68 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 220兆赫， 300瓦CW
输出功率
特点
集成ESD保护
优良的热稳定性
方便手动增益控制， ALC和调制技术
200℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF6V2300NR1
MRF6V2300NBR1
10 - 600兆赫， 300 W， 50 V
横向N - CHANNEL
单 - 结束
宽带
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
塑料
MRF6V2300NR1
CASE 1484至1404年，风格1
TO - 272 WB - 4
塑料
MRF6V2300NBR1
部分单 - 截至
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +110
- 0.5, +10
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
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MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
1
RF设备数据
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