TIL3020 THRU TIL3023
光耦合器/光隔离器
SOES028 - 1987年12月 - 修订1995年10月
电特性的25℃下的自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
IR
VF
IDRM
dv / dt的
dv / dt的（C ）
静态反向电流
静态正向电压
断态重复当前，任何一个方向
断态电压临界上升率
交流电压临界上升率
TIL3020
IFT
输入触发电流任一方向
目前，
TIL3021
TIL3022
TIL3023
VTM
IH
峰值通态电压，任一方向
保持电流，两个方向
ITM =百毫安
输出电源电压= 3V
测试条件
VR = 3 V
IF = 10毫安
VDRM = 250 V ，
见图1
IO = 15 mA时，
见注5
见图1
民
典型值
0.05
1.2
10
100
0.15
15
8
5
3
1.4
100
30
15
10
5
3
V
A
mA
最大
100
1.5
100
单位
A
V
nA
V / μs的
V / μs的
注5：测试电压必须在速率不大于12伏/微秒更高施加。
参数测量信息
VCC
1
6
VIN = 30 V RMS
2
10 k
2N3904
4
RL
输入
（见注一）
注： A.断态电压上升的临界速度， dv / dt的，是衡量0伏的输入。 Vin的频率增加，直到
在可控硅导通。该频率随后被用于dv / dt的，根据下列公式来计算：
DT的dV
+
2
2
p
fV
in
换向电压， dv / dt的（ c）所示，上升的临界速度是通过将偶尔5伏的脉冲与输入测量和
增加Vin的输入脉冲后的频率，直到光敏可控硅保持在（锁存器）已经停止。没有进一步的输入
脉冲。 ， Vin的频率，然后逐渐下降，直到光敏可控硅截止。关断发生时的频率
然后，可以使用根据以上所示的公式来计算的dv / dt （ c）所示。
崛起测试电路如图1爆击率
7–2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
