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典型应用
介绍
VBAT
V
PWR
V
PWR
16
mA
2.0
mA
SG0
该
模拟指令
可用于监控漏极
电压MOSFET的导通状态。通过获取的2.0毫安
到1.5KΩ的电阻，对SGN的模拟电压电流
引脚将约为：
V
SGN
= I
SGN
×1.5 kΩ的+ V
DS
作为上的MOSFET的增大漏极上的电压，所以
确实在SGN引脚上的电压。随着SGN引脚选择
模拟时， MCU可以进行A / D转换。
使用这种方法，用于控制夹紧感性
负载不推荐。感性回扫电压较大
比V
PWR
可能损坏IC 。
该SP0 ：该器件的SP7引脚也可以用来发送
信号从一个模块到另一个模块。操作类似于
一个MOSFET的栅极控制。
对于LED应用串联一个电阻与LED灯
推荐，但不是必需的。开关对地
输入被推荐用于LED应用。开车
LED的使用下面的命令：
湿电流定时器使能命令
- 禁用SGN
润湿当前定时器。
金属命令
- 设置SGN到16毫安。
从该点向前的LED可以被打开和关闭
使用
三态命令
:
三态命令
- 禁用三态的SGN （LED ON） 。
三态命令
- 启用三态的SGN （ LED
关）。
这些参数很容易通过SPI编程
命令在正常模式下。
命令序列（从正常模式
输入三态），需要设置设备驱动
MOSFET的情况如下：
湿电流定时器使能命令
- 禁用SPN
润湿当前定时器（参见
表9
页面
14).
金属命令
- 设置SPN到16 mA或2.0毫安门
驱动电流（参考
表8
页面
14).
设置命令
- 设置SPN为交换机到电池（请参阅
to
表6
页面
13).
三态命令
- 禁用三态的SPN （参见
表10
页面
15).
后
三态命令
已发送（三态
禁用） ， MOSFET栅极将被拉至地面。由此
指向前方的MOSFET可被开启和关闭由
发送
设置命令
:
设置命令
- SPN作为开关对地
（ MOSFET导通） 。
设置命令
- SPN的切换至电池
（ MOSFET关断） 。
MOSFET漏极在关断状态监控提供
负载开路检测功能。这是通过使用一个SGN输入完成
比较器。随着SGN输入三态，负载拉
了SGN输入电池。随着负载开路的SGN引脚
通过一个外部电阻下拉到地。开放
负载由在所述SO数据位为逻辑[1]来表示。
33972
22
负载
1.5 k
100 k
SG0
SP0
SG13
AMUX
4.0 V REF
+
-
要SPI
比较
V
PWR
V
PWR
16
mA
2.0
mA
SG0
16
mA
要SPI
4.0 V +
-
REF
比较
2.0毫安
V
PWR
V
PWR
16
mA
2.0
mA
SG13
4.0 V REF
+
-
要SPI
比较
图14. MOSFET或LED驱动器输出
在模块系统中的多个器件33972
连接电源到33972和MCU睡眠
模式的操作可以以几种方式来完成。
表21
显示了几个系统配置为与电源
MCU和33972以及其具体要求
功能。
表21.睡眠模式电源供应器
MCU
V
DD
5.0 V
5.0 V
0V
33972
V
DD
5.0 V
0V
5.0 V
评论
所有唤醒条件。 （参考
睡觉
模式，
页面
18.)
SPI唤醒是不可能的。
休眠模式是不可能的。从目前的
CS
上拉将通过MCU流向V
DD
有
被关闭。的下降沿
CS
将投入
33972在正常模式下。
SPI唤醒是不可能的。
0V
0V
多个33972装置可在一个模块中的系统中使用。
SPI控制，可以并行或串行地进行。然而，当
并行模式时，每个设备被寻址
独立地（参照
MCU接口说明，
页面
12).
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
