先进的技术信息
双电源
HiPerFET
TM
模块
Phaseleg配置
VMM 90-09F
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 900 V
= 85 A
= 76毫瓦
MOSFET T1 + T2
符号
V
DSS
V
GS
I
D25
I
D80
I
F25
I
F80
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
（二极管）T
C
= 25°C
（二极管）T
C
= 80°C
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
900
±20
85
65
85
65
V
V
A
A
A
A
特点
HiPerFET
TM
技术
低R
DSON
- 松开电感式开关
（ UIS ）
能力
- dv / dt的耐用性
- 快速内在反向二极管
低栅极电荷
热敏电阻
内部温度测量
包
- 低电感的电流路径
- 螺钉连接，大电流
主要终端
- 使用非互换
连接器辅助端子
可能
- 驱动器，方便开尔文源端
- 孤立DCB陶瓷基板
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
76毫瓦
3
1.5
1
960
225
430
150
180
330
140
1.1
250
0.12
1.6
5
0.4
V
mA
mA
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
0.08 K / W
K / W
R
DSON
V
gsth
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
F
t
rr
R
thJC
R
thjs
V
GS
= 10 V ;我
D
= I
D80
V
DS
= 20V;我
D
= 30毫安
V
DS
= 0.8 V
DSS
; V
GS
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
GS
= ±20 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V; V
DS
= 450 V ;我
D
= 50 A
应用
具有高功率密度转换器
和高开关速度
电源
感应加热
V
GS
= 10 V; V
DS
= 0.5 V
DSS
;
I
D
= I
D80
; R
G
= 0.47
W
（二极管）I
F
= 90 A; V
GS
= 0 V
（二极管）I
F
= 90 A; -di / DT = 400 A / μs的; V
DS
= 100 V
传热贴
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