位置：首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第165页 > VMM1500-0075P > VMM1500-0075P PDF资料 > VMM1500-0075P PDF资料1第1页
双电源
MOSFET模块
Phaseleg配置
VMM 1500-0075P
V
DSS
= 75 V
I
D25
= 1500 A
R
DS （ ON）
= 0.55 m
初步数据
8
9
11
10
3
1
2
MOSFET T1 + T2
符号
V
DSS
V
GS
I
D25
I
D80
I
F25
I
F80
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
（二极管）T
C
= 25°C
（二极管）T
C
= 80°C
①
①
①
①
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
75
±20
1500
1200
1500
1100
V
V
A
A
A
A
特点
沟道MOSFET的
低R
DSON
- 优化的内在反向二极管
包
- 低电感的电流路径
- 螺钉连接，大电流
主要终端
- 使用非互换
连接器辅助端子
可能
- 驱动器，方便开尔文源端
- 孤立DCB陶瓷基板
应用
具有高功率密度转换器
- 主辅交流驱动器
电动车
- 4象限直流调速器
- 电源具有低输入电压，
例如从燃料电池或太阳能电池
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
0.55
2
1.5
1.5
2480
330
940
60
170
320
200
1.2
90
0.12
1.6
0.8 m
4
0.15
V
mA
mA
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
0.06 K / W
K / W
R
DSON
V
gsth
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
F
t
rr
V
GS
= 10 V ;我
D
= I
D80
V
DS
= 20V;我
D
= 10毫安
V
DS
= V
DSS
; V
GS
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
GS
= ±20 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V; V
DS
= 60 V ;我
D
= 500 A
V
GS
= 10 V; V
DS
= 30 V;
I
D
= 250 A;
G
= 1
（二极管）I
F
= 750 ; V
GS
= 0 V
（二极管）I
F
= 200 A; -di / DT = 1000 A / μs的; V
DS
= 30 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有 2003 IXYS所有权利。
1-2
315
R
thJC
R
thjs
传热贴
①
通过外部引线附加电流限制
