2SA1225
I
C
– V
CE
1.0
TC = 25°C
500
h
FE
– I
C
h
FE
8
共发射极
300
TC = 100℃
100
50
30
25
25
共发射极
VCE =
5
V
20
10
(A)
0.8
6
集电极电流
0.6
4
0.4
IB =
2
mA
0.2
0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
直流电流增益
I
C
10
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
集电极电流
I
C
(A)
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
V
CE （SAT）
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
（兆赫）
3
共发射极
IC / IE = 10
1
0.5
0.3
25
0.1
0.05
0.003
25
300
共发射极
VCE =
10
V
TC = 25°C
f
T
– I
C
f
T
TC = 100℃
100
50
30
跃迁频率
1
0.01
0.03
0.1
0.3
10
5
10
30
100
300
1000
集电极电流
I
C
(A)
集电极电流
I
C
（MA ）
安全工作区
5
3
集成电路最大值（脉冲） *
IC MAX（连续）
P
C
- TA
1毫秒*
24
P
C
(W)
(A)
1
0.5
0.3
直流操作
TC = 25°C
20
10毫秒*
（ 1 ）锝= TA无限的散热器
（ 2）陶瓷基片
50 × 50 × 0.8 mm
（ 3 ）无散热片
(1)
I
C
集电极耗散功率
16
集电极电流
0.1
0.05
0.03
12
* ：单不重复
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性地增加
温度。
1
3
10
30
100
300
最大VCEO
8
4
(2)
(3)
0.01
0.005
0.3
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
环境温度Ta （C ）
3
2002-07-23
