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N沟道30V - 0.0026
-100A DPAK / IPAK / TO-220
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB100NF03L-03
STP100NF03L-03
STB100NF03L-03-01
s
s
s
s
s
STB100NF03L -03 STP100NF03L -03
STB100NF03L-03-1
V
DSS
30 V
30 V
30 V
R
DS （ ON）
<0.0032
<0.0032
<0.0032
I
D
100 A
100 A
100 A
3
1
3
12
s
典型
DS
（上） = 0.0026
低阈值DRIVE
100％的雪崩测试
逻辑电平器件
通孔IPAK （ TO- 251 ）电源
包装管内（后缀“ -1" ）
表面安装
2
PAK （ TO-263 ）
电力包装管（没有后缀）或
在磁带&卷轴（后缀“ T4 ” ）
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
3
1
2
I
2
PAK
TO-262
（后缀“-1” ）
TO-220
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
电机控制，音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电磁阀和继电器驱动器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D(1)
I
D(1)
I
DM
()
P
合计
E
AS(2)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
内部原理图
价值
30
30
± 16
100
100
400
300
2
1.9
-55至175
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
AR
= 50A ，V
DD
= 50V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
J
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区
（ 1 ）按封装电流限制
2003年2月
.
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