3.功能描述
3.1
3.1.1
3.1.1.1
引脚1 ，电源电压，V
S
或V
BATT
过压检测
第1阶段
如果V的过压
BATT
> 20V （典型地）发生，则外部晶体管被关断，并且
再次开启在V
BATT
< 18.5V （滞后） 。
3.1.1.2
第2阶段
如果V
BATT
> 28.5V （典型地） ，在IC的电压限制从V减小
S
= 26V至20V 。该
外部晶体管的栅极保持在上述IC接地的电位，从而产生电压
在过电压脉冲（如负载突降）的情况下场效应管和灯之间共享。短期
电路保护不动作。在V
BATT
约< 23V ，过电压检测
第2阶段是关闭的。因此，在过电压检测阶段2中，灯电压V
灯
是校准 -
culated如下：
V
灯
= V
BATT
– V
S
– V
GS
V
S
在IC中的过电压检测阶段2 =电源电压
V
GS
=栅极 - 源FET的电压
3.1.2
欠压检测
中的近似V电压的情况下
BATT
< 5.0V ，外部FET关闭和
锁存器用于短路检测复位。
滞后确保FET接通再次约为V
BATT
≥
5.4V.
3.2
3.2.1
2脚， GND
接地线断线
保护FET中的接地线断裂的情况下，栅极之间的1MΩ的电阻器和
源，建议提供适当的开关通断状态。
3.3
3脚，控制输入
脉冲宽度是由外部电位器（47千欧）来控制。特征
（旋转/占空比的角度）是线性的。占空比可变化，从18到100％。这是possi-
均衡器，进一步限制占空比与电阻器R
1
和R
2
（见
图7-1第11页） 。
为了降低FET的功耗，并提高了灯的寿命，所述
集成电路自动减小在销8的最大占空比，如果电源电压超过
V
2
= 13V 。 3脚进行保护，防止短路到V
BATT
和地面（Ⅴ
BATT
≤
16.5V).
4
U6083B
4770B–AUTO–09/05
