LMV861单/双LMV862
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
人体模型
充电设备型号
机器型号
V
IN
迪FF erential
电源电压（V
+
– V
)
电压输入/输出引脚
2千伏
1千伏
200V
电源电压
6V
V
+
+0.4V
V
0.4V
（注4 ）
存储温度范围
结温（注3 ）
焊接信息
红外线或对流（ 20秒）
-65 ° C至+ 150°C
+150°C
260°C
工作额定值
温度范围（注3 ）
电源电压（V
+
– V
)
（注1 ）
-40 ° C至+ 125°C
2.7V至5.5V
302°C/W
217°C/W
封装热阻（ θ
JA
（注3） ）
5引脚SC70
8引脚MSOP
3.3V电气特性
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
EMIRR
参数
输入失调电压
（注9 ）
输入失调电压漂移
（注9 ，10）
输入偏置电流
（注10 ）
输入失调电流
共模抑制比
（注9 ）
电源抑制比
（注9 ）
EMI抑制比，IN +和IN
（注8）
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 3.3V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
= 10 kΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
条件
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
±273
±0.7
0.1
1
0.2V
≤
V
CM
≤
V
+
- 1.2V
2.7V
≤
V
+
≤
5.5V,
V
OUT
= 1V
V
RF_PEAK
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
),
F = 400 MHz的
V
RF_PEAK
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
),
F = 900兆赫
V
RF_PEAK
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
),
F = 1800兆赫
V
RF_PEAK
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
),
F = 2400 MHz的
CMVR
A
VOL
输入共模电压范围CMRR
≥
65分贝
大信号电压增益
（注11 ）
R
L
= 2 k
V
OUT
= 0.15V到1.65V ，
V
OUT
= 3.15V到1.65V
R
L
= 10 k
V
OUT
= 0.1V至1.65V ，
V
OUT
= 3.2V至1.65V
V
O
输出摆幅高，
（从V测
+
)
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
输出摆幅低，
（从V测
)
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
0.1
100
97
100
98
110
77
75
77
76
93
93
70
80
105
110
2.1
V
dB
最大
（注6 ）
±1000
1260
±2.6
10
500
单位
μV
μV/°C
pA
pA
dB
dB
113
dB
12
3
8
2
14
18
4
5
12
16
4
5
mV
mV
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