GT20J321
东芝绝缘栅双极晶体管
硅N沟道IGBT
GT20J321
高功率开关应用
快速开关应用
第四代IGBT
增强型模式
快速开关（ FS ） ：工作频率可达50千赫（参考）
高速：吨
f
= 0.04
μs
（典型值）。
低开关损耗：电子
on
= 0.40兆焦耳（典型值）。
: E
关闭
= 0.43兆焦耳（典型值）。
低饱和电压： V
CE （SAT）
= 2.0 V（典型值）。
FRD包括发射极和集电极之间
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极 - 集电极前进
当前
集电极耗散功率
（ TC = 25 ° C）
结温
存储温度范围
DC
1毫秒
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
英镑
等级
600
±20
20
40
20
40
45
150
55
150
单位
V
V
A
JEDEC
A
W
°C
°C
―
―
2-10R1C
JEITA
东芝
重量：2.7克（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
热特性
特征
热电阻（IGBT）
热电阻（二极管）
符号
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
最大
2.78
4.23
单位
° C / W
° C / W
等效电路
集热器
记号
门
辐射源
20J321
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
1
2006-11-01
