GS74116TP/J/U
读周期2 ： WE = V
IH
TRC
地址
TAA
CE
TAC
TLZ
UB ， LB
OE
tBLZ
TOE
数据输出
TOLZ
高阻抗
TAB
tBHZ
tOHZ
数据有效
太赫兹
写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
字节使能，以结束写的
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间（ WE）
写恢复时间（ CE ）
输出低Z从写结束
写在高Z输出
符号
TWC
TAW
TCW
TBW
TDW
TDH
TWP
TAS
tWR的
tWR1
TWLZ
*
tWHZ
*
-8
民
8
5.5
5.5
5.5
4
0
5.5
0
0
0
3
---
-10
最大
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
3.5
-12
民
12
8
8
8
6
0
8
0
0
0
3
---
-15
民
15
10
10
10
7
0
10
0
0
0
3
---
民
10
7
7
7
5
0
7
0
0
0
3
---
最大
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
4
最大
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
5
最大
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数进行采样，而不是100 ％测试
冯： 2.02 3/2000
7/14
1999 ，千兆半导体公司
N
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
