LX1673
TM
高频PWM稳压器
P
RODUCTION
D
ATA
S
HEET
应用说明
（续）
SS引脚电压可以表示为：
WWW .
Microsemi的
.C
OM
V
SS
=
V
REF
1
e
(
T / R
SS
C
SS
)
其中R
SS
和C
SS
是软启动电阻器和电容器。
所需的电流中的软输出电容充电
发车间隔为。
电流限制设定点。如果在时间上MOSFET小于
350nS和短路情况发生时的占空比
增加，由于V
OUT
将被拉低。电流限制电路
当上部栅极驱动器超出350nS虽然将被启用
实际的峰值电流限制值将高于计算
与上述等式。
短路保护仍然存在由于窄脉冲宽度
即使在电流脉冲的幅度会高于
所计算出的值。
如果OCP不希望两个VSX和VCX连接到VCC 。别
让他们漂浮。
IOUT
=
COUT
DVSS
dt
取导数相对于时间的结果在
IOUT
=
与在t = 0
VrefCout
T / R
SS
C
SS
e
RssCss
VrefCout
RssCss
O
安输出
D
ISABLE
该LX1673 PWM MOSFET驱动器的输出被切断
拉禁用（ DIS ）引脚1.2V以上。有一
80K
拉
在此输入下拉电阻。
LDO稳压器都有自己的禁止引脚（ LDDIS ）的
控制该输出电压。拉动上述3 V禁用该引脚
该LDO 。有一
100K
向下拉此输入电阻。
IM AX
=
所需的电感器电流对输出电容跟随
软启动电压等于所需的电容电流加
负载电流。软启动电容应选择
提供所希望的功率上测序和保证该
整体的电感电流不超过其最大允许
投资评级。
的C值
SS
等于0.1pF或更大是不太可能导致
输出电感器的饱和，除非非常大的输出
电容器被使用。
P
AGC软件
T
HE
O
安输出
V
oltage
输出电压由反馈引脚进行检测（FB
X
），其是
相比于0.8V的参考。输出电压可以设置为任意
电压高于0.8V （和低于输入电压），通过以下方式
一个电阻分压器（参见图1） 。
V
OUT
=
V
REF
(1
+
R
1
/R
2
)
注意：该方程简化，不考虑误差
放大器的输入电流。请
1
和R
2
CLOSE TO
1K
的（订单
幅度） 。
O
VER
-C
光凭目前
P
ROTECTION
限流发生在目前的水平我
CL
当电压
由电流检测比较器检测到大于
电流检测比较器的阈值，V
旅
(300mV).
DDR V
TT
T
发芽
V
oltage
双倍数据速率（ DDR ） SDRAM要求终止
电压（V
TT
）除了在线路驱动器的电源电压（ VDDQ ）
和接收机电源电压（VDD ） 。
V
TT
对于DDR内存可以用LX1673所产生
用相位2误差放大器RF2作为正输入
引用来自外部参考电压V输入
REF
这是
定义为二分之一VDDQ的。采用V
REF
作为参考输入
将确保所有电压是否正确，并跟踪对方为
在JEDEC （ EIA / JESD8-9A ）规范中规定。在第2阶段
然后输出将等于V
REF
并跟踪VDDQ供应，
所需。
当使用外部参考电压之间的连接
误差放大器的正输入端和所述软启动销丢失和软
启动将无法正常工作。因此建议在外部
参考电压有一个RC时间常数，这将是很长
够使输出电容器缓慢充电。
见Microsemi的应用笔记17更多细节
I
CL
×
R
DS （ ON）
+
I
SET
×
R
SET
=
V
旅
所以，
R
SET
=
V
旅
I
CL
×
R
DS （ ON）
I
SET
=
300毫伏
I
CL
×
R
DS （ ON）
50 A
例如：
对于10A电流限制，采用FDS6670A MOSFET （
10m
R
DS （ ON）
):
R
SET
=
0.3
10
×
0.010
50
×
10
6
=
4K
A
PPLICATIONS
A
PPLICATIONS
注：最大R
SET
is
6K
。任何电阻
6K
或将更大
不允许启动，因为我
CL
将等于零（ 50μA X
6K
=
300mV).
在更高的PWM频率或低的占空比，其中所述上部
栅极驱动小于350nS宽350nS延迟电流
限制使可能导致电流脉冲超过所需
版权
2004
1.0版， 2005年3月18日
Microsemi的
集成产品部门
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
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