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技术说明
双电池记忆的插头&播放
DDR/DDR2
（对于内存模块）内存SPD
BR34E02-W
°说明
BR34E02FVT -W是256 × 8位电可擦除PROM （基于串行存在检测）
■特点
256×8
位架构的串行EEPROM
ùWide
工作电压范围： 1.7V - 3.6V
·两线
串行接口
高
用金片，金线连接的可靠性
- 自定时
擦除和写入周期
“页
写功能（ 16byte的）
“写
保护模式
可设置可逆写保护功能： 00H至7Fh
写保护1 （一次性光盘）
： 00H至7Fh
写保护2 （硬连线WP PIN）
： 00H - FFH
ULOW
耗电量
写
（在1.7V ） ： 0.4毫安（典型值）。
读
（在1.7V ） ： 0.1毫安（典型值）。
待机（在1.7V ） ： 0.1μA （ TYP。）
数据
安全
写保护功能（ WP引脚）
禁止把它们写在低V
CC
紧凑型
封装： TSSOP - B8 ， VSON008X2030
高
可靠性精细图案的CMOS技术
·重写
可能高达100万次
数据
保：40岁
Noise
在SCL / SDA减少过滤输入
←初始
在所有的地址数据FFH
●BR34E02-W
系列
容量位格式
2Kbit
256X8
TYPE
BR34E02-W
电源电压
1.7V½3.6V
TSSOP-B8
●
VSON008X2030
●
VER.A 2007年8月
