佰鸿电子股份有限公司。
自1981年以来
BPT-NP23C1
●
电气特性
（ TA = 25℃除非另有说明）
参数
集电极 - 发射
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
集电极 - 发射
饱和电压
上升时间
下降时间
集电极暗电流
光电流
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） ECO
V
CE （ SAT ）
T
r
T
f
I
d
I
C（ ON）
民
30
5
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
15
15
-
12
最大
-
-
0.5
-
-
100
-
单位
V
V
V
μS
nA
mA
测试条件
I
C
= 1毫安
Ee=0mW/cm
2
I
R
= 0.1毫安夷= 0毫瓦/平方厘米
2
I
C
= 0.1毫安夷= 1.0毫瓦/平方厘米
2
V
CE
= 5V
L
=1K
F=100HZ
V
CE
= 10V ê
e
= 0毫瓦/平方厘米
2
V
CE
= 5V ê
e
=1.0mW/cm
2
●
典型的光 - 电特性曲线
图0.1暗当前作比。
一个MB ，即NT坦佩岭恩重
1 00 00
1 000
1 00
暗电流
10
1
0 .1
0 .01
0
20
40
60
80
1 00
一个MB ，即NT坦佩岭恩重
图0.2蒲WE R迪斯IP的离子比。
一个MB ，即NT坦佩岭恩重
（U A）
（ mW）的
1 20
1 00
80
60
40
20
0
1 20 (° C)
电源派息sipation钯
-25
0
1 00
25
50
75
一个MB ，即NT坦佩岭恩重
1 25 (° C)
（美国）
20
16
图0.3 R2为E中发LL时间 -
L OA 重新sistance
V C C = 5V
F = 100Hz的
Tf
Tr
图0.4 Relat IV E有限公司llec于r当前作比。
我RRAD IA NCE
2 .5
VC E = 5V
RIS e和下降时间
12
8
4
0
Relativ ê COLLEC器电流
2 .0
1 .5
1 .0
0 .5
0
0
0 .5
1 .0
1 .5
2 .0
2 .5
3 0.0 （毫瓦/ C M ）
0
0 .2
0 .4
0 .6
0 .8
1 .0 (K )
我RRAD IA NCE
载入出厂重新SIS谭策
图0.5 Relat IV E重新sponse对比
娃已经长
1 .0
0 .8
0 .6
0 .4
0 .2
0 .0
5 00
6 00
7 00
8 00
9 00
1 000
相对响应
1 100 （ n×m个）
W avelength
REV ： 2.2
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