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集成
电路
系统公司
ICS83026I-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
D
。微分
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
101.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
8引脚SOIC
8引脚TSSOP
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 5%, V
DDO
= 1.71V
TO
3.465V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
正电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
2.375
1.71
典型
3.3
3.3
2.5
1. 8
最大
3.465
3.465
2.625
1.89
10
3
单位
V
V
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 5%, V
DDO
= 2.375V
TO
3.465V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
OE
OE
OE
OE
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DDO
= 3.135V
V
DDO
= 2.375V
-150
2.6
1.8
0.5
测试条件
最低
2
-0. 3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
5
单位
V
V
A
A
V
V
V
输出高电压;注1
V
OL
输出低电压;注1
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量信息科
"Output负载测试Circuit"图。
T
ABLE
3C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 5%, V
DDO
= 1.8V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
83026BMI-01
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
输出低电压
OE
OE
OE
OE
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
5
单位
V
V
A
A
V
V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
I
OH
= -100A
I
OH
= -2mA
I
OL
= 100A
I
OL
= 2毫安
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
-150
V
DDO
- 0.2
V
DDO
- 0.45
0. 2
0.45
V
V
REV 。一2006年1月16日
