BRIGHT
微电子
公司
初步BM29F400T / BM29F400B
表6.命令定义
命令
顺序
重置/读取
重置/读取
RESET
/ READ
字
字节
字
电子
4
总线写
周期
需要
1
4
第一总线写
周期
ADDR
XXXXH
5555H
AAAAH
5555H
AAH
数据
F0H
AAH
2AAAH
5555H
2AAAH
55H
55H
5555H
AAAAH
5555H
90H
01H
(7)
第二巴士
写周期
ADDR
数据
第三总线写
周期
ADDR
数据
四总线写
周期
ADDR
数据
第五总线写
周期
ADDR
数据
第六总线写
周期
ADDR
数据
F0H
RA
RD
2223H
（T设备ID ）
22ABH
（B设备ID ）
23H
（T设备ID ）
ABH
（B设备ID ）
ID
字节
AAAAH
5555H
AAAAH
节目
字
字节
4
5555H
AAAAH
AAH
2AAAH
5555H
55H
5555H
AAAAH
A0H
PA
PD
芯片
抹去
扇形
抹去
抹去
暂停
抹去
简历
字
字节
字
字节
字
字节
字
字节
6
5555H
AAAAH
AAH
2AAAH
5555H
55H
5555H
AAAAH
80H
5555H
AAAAH
AAH
2AAAH
5555H
55H
5555H
AAAAH
10H
6
5555H
AAAAH
AAH
2AAAH
5555H
55H
5555H
AAAAH
80H
5555H
AAAAH
AAH
2AAAH
5555H
55H
SA
30H
1
XXXXH
B0H
1
XXXXH
30H
注意事项：
1.总线操作去连接定义表1和表2 。
2.对于一个指令，地址位A15 = X =不关心，除了程序地址的所有地址的命令（ PA）和
扇区地址（SA）。
要读3 RA =地址的内存位置。
在读操作期间从位置RA的读RD =数据。
PA =地址的存储单元进行编程。地址被锁存，在WE脉冲的下降沿。
PD =数据到位置PA进行编程。数据锁定在WE的上升沿。
要擦除SA =地址区段。 （见表4顶级的引导和表5的底部启动。 ）
4.擦除挂起（ B0H ），并删除恢复（ 30H ）命令都必须同时扇区擦除操作时
进展情况。
5.从阅读和编程，非擦除扇区被允许在擦除挂起模式。
6.系统应生成以下地址模式：
字模式： 5555H或2AAAH到地址A0 - A14 。
字节模式： AAAAH或5555H到地址A-1 - A14 。
7.地址00H返回制造商识别码（光明微电子 - ADH ） ，地址01H返回设备的ID码。
擦除暂停/删除恢复命令
擦除挂起命令允许用户中断一个扇区擦除操作和读取数据
从或到一个没有被擦除的扇区。擦除挂起命令仅在适用
扇区擦除操作，其中包括，但不限于，任何部门后扇区擦除超时时间
擦除命令（ 30H ）已经启动。
在超时写入擦除挂起命令将导致立即终止
超时时间。扇区擦除命令的任何后续的写操作将被视为擦除
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