恩智浦半导体
BLF6G27-45 ; BLF6G27S -45
WiMAX的功率LDMOS晶体管
5.热特性
表5 。
符号
R
号（j -情况下）
热特性
参数
条件
TYPE
典型值
1.7
1.7
单位
K / W
K / W
从T热阻
例
= 80
°C;
BLF6G27-45
结到外壳
P
L
= 34 W（ CW ） BLF6G27S -45
6.特性
表6 。
特征
T
j
= 25
°
每节;除非另有规定ED 。
符号参数
V
（ BR ） DSS
漏源击穿
电压
V
GS （ TH）
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DS （ ON）
C
rs
门源阈值电压
漏极漏电流
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
漏极 - 源极导通状态
阻力
反馈电容
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
- 0.5毫安
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60毫安
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
V
DS
= 10 V
V
GS
= 11 V; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V ;我
D
= 2.5 A
V
GS
= V
GS （ TH）
+ 3.75 V;
I
D
= 2.1 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 28 V;
F = 1 MHz的
民
65
1.4
-
8.8
-
-
-
-
典型值
-
1.9
-
10.4
-
4.3
0.24
1.1
最大
-
2.4
1.4
-
140
-
单位
V
V
A
A
nA
S
0.385
-
pF
7.应用信息
表7中。
应用信息
操作方式：单载波n -CDMA与试点，分页，同步和6 TRAF连接C型通道（沃尔什
码8 - 13 ） 。 PAR 9.7分贝在CCDF上0.01 ％的概率;信道带宽= 1.23 MHz的;
F = 2700 MHz的;射频性能在V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 350毫安;牛逼
例
= 25
°
℃;除非另有
特定网络版;在AB类生成电路。
符号
P
L（ AV）在
G
p
RL
in
η
D
ACPR
885k
参数
平均输出功率
功率增益
输入回波损耗
漏EF网络效率
相邻信道功率比（ 885千赫）
P
L（ AV）在
= 7 W
P
L（ AV）在
= 7 W
P
L（ AV）在
= 7 W
P
L（ AV）在
= 7 W
P
L（ AV）在
= 7 W
[1]
[1]
条件
民
-
-
22
-
-
典型最大单位
7
-
-
-
W
dB
dB
%
dBc的
dBc的
16.5 18
24
10 5
49 46
64 61
ACPR
1980k
相邻信道功率比（1980千赫）
[1]
测量在30 kHz的带宽。
7.1耐用的AB类操作
该BLF6G27-45和BLF6G27S -45能够承受的负荷不匹配
通过在下列条件下的所有阶段1：对应于驻波比= 10 ：
V
DS
= 28 V ;我
Dq
= 350毫安; P
L
= 45 W（ CW） ; F = 2600兆赫。
BLF6G27-45_BLF6G27S-45_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
初步数据表
牧师02 - 2008年2月7日
3 15
