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佰鸿电子股份有限公司。
自1981年以来
BIR-BO13E4G-2
光 - 电特性
(@T
A
=25℃)
参数
辐射强度
正向电压
反向电流
峰值波长
谱线半宽
视角
符号
Ie
V
F
I
R
λp
λ
2θ
1/2
测试条件
I
F
=50mA
I
F
=50mA
V
R
=5V
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
民
23.1
-
-
-
-
-
典型值
65.5
1.5
-
850
50
40
最大
-
1.8
100
-
-
-
单位
毫瓦/ SR
V
A
nm
nm
度
典型的光 - 电特性曲线
图1光谱Dlstrbution
1.0
图2正向电流VS
环境温度
120
相对辐射强度
正向电流IF （MA ）
100
80
0.5
60
40
20
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0
750
850
950
（纳米）
波长
环境温度
图4相对辐射强度
VS环境Tembeb ATURE
输出功率值@ 50毫安
3.0
图3正向电流与
（MA ）
100
80
2.5
正向电流
2.0
60
1.5
40
1.0
20
0.5
0
-40
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
(V)
-20
0
20
40
60
(°C)
正向电压
图5相对辐射强度
VS正向电流
4.0
环境温度
图6辐射图
0
10
20
30
40°
输出功率相对于
值在@ 50毫安
3.0
2.0
相对辐射强度
1.0
40
0.9
0.8
50
60
70
1.0
0.7
80
90
0.5
0.3
0.1
0.2
0.4
0.6
0
0
20
40
60
80
100
（MA ）
正向电流
REV ： 2.1
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