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三菱HVIGBT模块
CM1200DB-34N
第四-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
高功率开关使用
绝缘型
半桥
切换时间特性
（典型值）
10
1
7
5
3
2
续流二极管
反向恢复特性
（典型值）
500
V
CC
= 850V, V
GE
=
±15V
R
G（ ON）的
= 1.3
T
j
= 125°C ，电感性负载
反向恢复电荷（
C
)
V
CC
= 850V, V
GE
=
±15V
R
G（ ON）的
= 1.3, R
G（ OFF）
= 3.3
T
j
= 125°C ，电感性负载
400
Q
rr
300
开关时间（
s
)
t
D（关闭）
10
0
7
5
3
2
t
D（上）
t
r
t
f
200
10
-1
7
5
3
2
100
10
-2 2
10
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
4
0
0
400
800
1200
1600
2000
2400
集电极电流（ A）
发射极电流（ A）
瞬态热
阻抗特性
反向偏置安全工作区
（ RBSOA ）
3000
V
CC
≤
1200V, V
GE
= +/-15V
T
j
= 125 ° C，R
G（ OFF）
≥
3.3
归瞬态热阻抗
1.2
单脉冲，T
C
= 25°C
R
日（J -C ） Q
= 18K /千瓦
R
日（J -C ）R
= 40K /千瓦
1.0
2500
集电极电流（ A）
0.8
2000
0.6
1500
0.4
1000
0.2
500
模块
芯片
0
-3
10
2 3 5 7
10
-2
2 3 5 7
10
-1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
时间（s）
0
0
500
1000
1500
2000
集电极 - 发射极电压（ V）
HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
2005年7月
