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电气特性
DD1
SD_CLK
DD2
DD3
SD_CLK
DD5
SD_CSn , SD_WE ,
SD_RAS , SD_CAS
DD4
A[13:0]
CL=2
CMD
CL=2.5
ROW
COL
DQS读
前言
DD10
DD9
SD_DQS3/SD_DQS2
CL = 2
DQS读
后记
D[31:24]/D[23:16]
SD_DQS3/SD_DQS2
CL = 2.5
WD1 WD2 WD3 WD4
DQS读
DQS读
前言
后记
D[31:24]/D[23:16]
WD1 WD2 WD3 WD4
图19. DDR读时序
5.9
通用I / O时序
表14. GPIO时序
1
NUM
G1
G2
G3
G4
特征
FB_CLK高到GPIO输出有效
FB_CLK高到GPIO输出无效
GPIO输入有效到FB_CLK高
FB_CLK高到GPIO输入无效
符号
t
CHPOV
t
CHPOI
t
PVCH
t
CHPi
1.5
8
1.5
最大
8
单位
ns
ns
ns
ns
注意事项:
1
GPIO规范封面: IRQN , UART和定时器引脚。
的ColdFire MCF5208
微处理器数据手册,第1
34
飞思卡尔半导体公司

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