NCP1271
V FB
住在故障操作
在这一地区超过130毫秒
3V
PWM工作模式
V跳跃
非锁存关断
0V
30 ns到20 ns的有1.0 nF的加载时间。这允许
NCP1271直接驱动大电流功率MOSFET
对于中高功率应用。
噪音去耦电容
有在NCP1271三个引脚，可能需要
外部去耦电容。
1.
跳过/锁存引脚（引脚1 ）
- 如果在电压
这个引脚高于8.0 V，则电路进入
闭锁。因此，在此去耦电容器
脚是提高抗噪声能力是必不可少的。
此外，电阻器应始终被放置
此引脚与GND ，以防止噪声
引起销1级超过闭锁
的水平。
2.
反馈引脚（引脚2 ）
- FB引脚为高
阻抗点，很容易污染的
嘈杂的环境。这可能会影响电路
操作。
3.
V
CC
引脚（引脚6 ）
- 电路维持正常
操作时， V
CC
高于V
CC （OFF）的
(9.1 V
典型值） 。但是，若V
CC
低于V
CC （OFF）的
因为
开关噪声，则该电路可以正确
将其识别为故障状态。因此，它是
重要的是要找到在V
CC
电容或
额外的去耦电容尽量靠近
到设备。
图40. NCP1271操作门槛
1
2
关闭
3
4
NCP1271
OPTO
耦合器
8
6
5
图41.非闭锁关断
输出驱动器
所述装置的输出级被设计成直接
驱动功率MOSFET 。它能够达到500毫安和
-800 mA峰值驱动电流，并具有典型的兴衰
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