NCP1271
双打嗝，那么该应用程序后清除
重新启动。如果不是，则重复该过程。
4.
锁存关断
- 当跳过/锁存器引脚（引脚
1）电压被拉到大于8.0 V以上
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女士，
在NCP1271进入闭锁关断。
输出保持低电平， V
CC
停留在打嗝
模式，直到锁存器复位。复位只能
若VCC允许低于V出现
CC （重置）
（ 4.0 V典型值） 。这通常是通过以下步骤完成
拔下主输入交流电源。
5.
非锁存关断
- 如果FB引脚被拉低
下面的跳跃水平，那么该设备将进入
非锁存关断模式。此模式禁用
该驱动程序，但控制器自动恢复
当FB下拉被释放。另外，
Vcc的，也可以被置于低电平（低于190毫伏）到
关闭控制器。这具有额外的好处
放置部分成低电流消耗的
模式，改进的功率节省。
偏置控制器
在启动期间， Vcc的偏置电压是由供给
HV引脚（引脚8 ） 。该引脚可支持高达
500伏，所以它可以直接连接到大容量电容器。
在内部，该引脚连接至一个电流源，它
快速充电V
CC
其V
CC （ON）的
门槛。在此之后
水平达到时，控制器打开和变压器
辅助绕组提供的偏置电压至V
CC.
启动用FET然后关断时，使备用
要最小化功率损耗。这在芯片的启动电路
最大限度地减少外部元件和印制数量
电路板（PCB）面积。它也提供了低得多的
相比功耗和更快的启动时间
使用启动电阻V
CC
。辅助绕组
需要进行设计，以提供上述伏的电压
CC （OFF）的
水平，但低于最大V
CC
20五水平
为增加保护，在NCP1271还包括一个双
启动模式。最初，当V
CC
是禁止以下
电压V
抑制
（ 600 mV的典型值）时，启动电流源
小（ 200 uA的典型值） 。目前云高（ 4.1毫安
典型值）时， V
CC
那张高于V
抑制
。此行为是
在图23中所示的双启动功能保护
该设备通过限制最大功耗
当V
CC
引脚（引脚6 ）意外接地。这
略微增加了总的充电时间V
CC
的，但它是
一般不显着。
启动电流
4.1毫安
200微安
0.6 V
V
CC （ LATCH ）
V
CC （ON）的
V
CC
图23.启动电流在各种V
CC
水平
V
CC
双打嗝模式
图24示出了启动的框图
电路。欠压锁定（ UVLO ）比较器
监视V
CC
电源电压。如果V
CC
瀑布下方
V
CC （OFF）的
时，控制器进入“双打嗝模式”。
V
体积
HV
10到20V的偏置电压
（可在启动后）
VCC
6
4.1毫安当Vcc > 0.6 V
200微安当Vcc < 0.6 V
关
UVLO
+
12.6/
5.8 V
8
Q
S
R
双
嗝
B2
计数器
+
＆放大器;
9.1 V
20V
打开内部偏置
图24. V
CC
管理
在双打嗝操作中， Vcc电平下降到
V
CC （ LATCH ）
（ 5.8 V典型值） 。在这一点上，启动FET为
重新打开和收费V
CC
到V
CC （ON）的
（ 12.6 V典型值） 。
V
CC
然后慢慢折叠回至V
CC （ LATCH ）
的水平。这
循环重复两次，从而尽量减少功耗
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