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CA3046
绝对最大额定值
集电极 - 发射极电压(V
首席执行官
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
集电极 - 基极电压(V
CBO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
集电极 - 衬底电压(V
CIO
,注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V
发射极 - 基极电压(V
EBO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电极电流(I
C
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
180
不适用
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
220
不适用
最大功率耗散(任何一个晶体管) 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1. CA3046的每个晶体管的集电极与基片由一体二极管隔离。基板(端子13)必须接
在外部电路中最负点至晶体管之间保持隔离,并为普通的晶体管动作。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
DC特性
T
A
= 25
o
C,指定特性适用于CA3046每个晶体管
符号
测试条件
典型值
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流(图1)
集电极截止电流(图2)
正向电流传输比(静态测试)
(注3) (图3)
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR )首席信息官
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
C
= 10μA ,我
CI
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CB
= 10V ,我
E
= 0
V
CE
= 10V ,我
B
= 0
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 10A
V
CE
= 3V ,我
C
= 1毫安
20
15
20
5
-
-
-
40
-
-
-
-
-
-
60
24
60
7
0.002
SEE图。 2
100
100
54
0.3
0.715
0.800
0.45
0.45
-
-
-
-
40
0.5
-
-
-
2
-
-
5
5
V
V
V
V
nA
A
-
-
-
A
V
V
mV
mV
输入失调电流的配对Q
1
和Q
2
.
|I
IO1
- I
IO2
| (注3) (图4)
基极 - 发射极电压(注3) (图5)
V
BE
V
CE
= 3V
I
E
= 1毫安
I
E
= 10毫安
级输入Offet电压差分对
|V
BE1
- V
BE2
| (注3)(图5,图7)
输入的幅度偏置电压隔离
晶体管| V
BE3
- V
BE4
|, |V
BE4
- V
BE5
|,
|V
BE5
- V
BE3
| (注3)(图5,图7)
基极到发射极的温度系数
电压(图6)
集电极 - 发射极饱和电压
温度系数:输入的幅度关 -
设置电压(图7 )
动态特性
低频噪声图(图9 )
低频小信号等效
电路特性
正向电流传输比(图11 )
短路输入阻抗(图11 )
开路输出阻抗(图11 )
h
FE
h
IE
h
OE
NF
V
BE
--------------
-
T
V
CES
V
IO
----------------
T
V
CE
= 3V ,我
C
= 1毫安
V
CE
= 3V ,我
C
= 1毫安
V
CE
= 3V ,我
C
= 1毫安
-
-1.9
-
毫伏/
o
C
I
B
= 1mA时,我
C
= 10毫安
V
CE
= 3V ,我
C
= 1毫安
-
-
0.23
1.1
-
-
V
V/
o
C
F = 1kHz时,V
CE
= 3V ,我
C
= 100A,
源电阻= 1kΩ的
-
3.25
-
dB
F = 1kHz时,V
CE
= 3V ,我
C
= 1毫安
F = 1kHz时,V
CE
= 3V ,我
C
= 1毫安
F = 1kHz时,V
CE
= 3V ,我
C
= 1毫安
-
-
-
110
3.5
15.6
-
-
-
-
k
S
2

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