位置：首页 > IC型号导航 > 首字符W型号页 > 首字符W的型号第36页 > W28F641TT80L > W28F641TT80L PDF资料 > W28F641TT80L PDF资料2第23页
W28F641B/T
交流特性 - 写操作
(1, 2)
V
DD
= 2.7V至3.6V ，T
A
= -40
°
C至+ 85
°
C
参数
写周期时间
#RESET高价回收来#WE （ #CE ）去低（注3 ）
#CE （ #WE ）设置为#WE （ #CE ）走出低
#WE （ #CE ）脉冲宽度（注4 ）
数据建立到#WE （ #CE ）变高（注8）
地址设置为#WE （ #CE ）变高（注8）
#CE （ #WE ）从#WE （ #CE ）高举
从#WE （ #CE ）数据保持高
地址保持从#WE （ #CE ）高
#WE （ #CE ）脉冲宽度高（注5 ）
#WP高设置为#WE （ #CE ）变高（注3 ）
V
PP
安装程序#WE （ #CE ）变高（注3 ）
之前读写恢复
#WP从SRD有效保持高（注3,6）
V
PP
从有效SRD （注3,6）举行
#WE （ #CE ）高到SR.7去"0" （注3,7 ）
注意事项：
符号
t
AVAV
t
PHWL
(t
PHEL
)
t
ELWL
(t
WLEL
)
t
WLWH
(t
ELEH
)
t
DVWH
(t
DVEH
)
t
AVWH
(t
AVEH
)
t
WHEH
(t
EHWH
)
t
WHDX
(t
EHDX
)
t
WHAX
(t
EHAX
)
t
WHWL
(t
EHEL
)
t
SHWH
(t
佘诗曼
)
t
VVWH
(t
VVEH
)
t
WHGL
(t
EHGL
)
t
QVSL
t
QVVL
t
WHR0
(t
EHR0
)
分钟。
80
150
0
50
40
50
0
0
0
30
0
200
30
0
0
马克斯。
单位
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
t
AVQV
+50
nS
1.在块擦除，整片擦除， （页面缓冲）计划和OTP读状态寄存器时序特性
方案的操作是相同的过程中只读操作。请参见AC特性进行只读操作。
2.写操作可以启动和终止或者#CE或#WE 。
3.采样，而不是100 ％测试。
4.将脉冲宽度（T
WP
）从#CE或#WE （取变低最后的下降沿定义） #CE的上升沿或
#WE （取高电平在前） 。因此，T
WP
= t
WLWH
= t
ELEH
= t
WLEH
= t
ELWH
.
5.写脉冲宽度高（T
WPH
）从#CE或#WE （取高电平第一上升沿定义）的下降沿
#CE或#WE （取变低为止） 。因此，T
WPH
= t
WHWL
= t
EHEL
= t
WHEL
= t
EHWL
.
6. V
PP
应在V举行
PP
= V
PPH1/2
直到确定块擦除， （页面缓存）程序或OTP程序成功
（ SR.1 / 3 /4/5 = 0）和在V保持
PP
= V
PPH1
直到确定整片擦除成功（ SR.1 / 3/5 = 0 ） 。
7. t
WHR0
(t
EHR0
）后读取查询或读取识别码/ OTP命令= T
AVQV
100纳秒。
8.请参考表6为块擦除，整片擦除;（页面缓冲）计划， OTP程序或锁定位的有效地址和数据
配置。
- 23 -
出版日期： 2003年3月27日
修订A3
