ADN2873
V
CC
光电二极管
PAVSET
功率消耗可以被计算为
I
CC
=
I
CC
民
+ 0.3
I
MOD
P
=
V
CC
×
I
CC
+ (
I
BIAS
×
V
BIAS_PIN
) +
I
MOD
(
V
MODP_PIN
+
V
MODN_PIN
)/2
T
DIE
=
T
环境
+
θ
JA
×
P
ADN2873
R
图34.推荐的方法我
MPD
在整个测量
在电阻设置模式检测电阻器
环路带宽的选择
以确保ADN2873控制环路具有足够的
带宽，平均功率环电容器（ PAVCAP ）是
使用激光器的斜率效率计算值（瓦特/安培）
和所需的平均功率。
对于电阻器设定值控制，
PAVCAP
=
3.2
×
10
6
×
LI
P
AV
07493-034
微转换器
ADC
输入
因此，我的最大组合
BIAS
+ I
MOD
必须是
计算出的，其中：
I
CC
民
= 32 mA时，我的典型值
CC
在表1中提供
与我
BIAS
= I
MOD
= 0.
T
DIE
是模具温度。
V
BIAS_PIN
是在IBIAS管脚上的电压。
V
MODP_PIN
是在IMODP引脚的电压。
V
MODN_PIN
是在IMODN引脚的电压。
T
环境
是在室温下进行。
激光器自动关断（T
X
_DISABLE ）
ALS （T
X
_DISABLE ） ]是用于关闭一个输入的
发射机的光输出。 ALS的引脚上拉
内部配有6 kΩ的电阻，符合SFP MSA
规格。当ALS为逻辑高电平或打开时，无论是
偏置和调制电流被关断。如果报警了
被触发，且偏置电流和调制电流被接通
关， ALS可以带来高后低，以清除报警。
（ FARAD ）
对于电压设定点控制，
PAVCAP
=
1.28
×
10
6
×
LI
P
AV
（ FARAD ）
其中：
LI
是在25℃下的典型斜率效率一批激光器的那
P
AV
是必需的（MW ）的平均功率。
被用在设计（毫瓦/毫安） 。
李可被计算为
LI
=
P1
P0
I
MOD
偏置电流和调制电流的监控
IBMON和IMMON被电流控制的电流源
该反射镜的偏置电流和调制电流的比值。该
监视偏置电流， IBMON ，并在监视器调制
当前， IMMON ，都应该被连接到地
一个电阻来提供正比于偏置电流的电压
和调制电流。当使用微
控制器，在这些电阻上产生的电压可以是
连接到两个ADC通道，使得一个数字
偏置和调制电流提供的表示。
（毫瓦/ mA）的
其中：
P1
是在1级的光功率（mW ） 。
P0
是在零电平的光功率（mW ） 。
电容值方程被用来获得一个中心值
为用于在一个设计和一个特定类型的激光
平均功率设置。激光，LI可以通过7:3的因子而变化
相同类型的和不同的物理激光器之间
的温度，而不需要重新计算PAVCAP值。
该电容放置的PAVCAP引脚和地。
重要的是，电容器是一种低泄漏，多层
陶瓷类与绝缘电阻大于100 GΩ
或者1000秒的时间常数，以较低者为准。挑选标准
关闭的，现成的电容器值，使得实际的电容是
内的计算值的±30 ％，该电容器本身的
公差考虑在内。
IBIAS PIN
该ADN2873 IBIAS管脚具有一个片上， 800 Ω的上拉电阻。
从该电阻器的电流吸收器为V
IBIAS
依赖。
I
UP
=
V
CC
V
IBIAS
0. 8
（MA ）
其中，V
IBIAS
测量在安装后IBIAS引脚上的电压
一个激光器偏置电流的，我
BIAS
.
通常情况下，当设置了一个最大的激光偏置100mA的电流
结果在V
IBIAS
到约1.2 V.在一个最坏的情况下，V
CC
=
3.6 V, V
IBIAS
= 1.2 V，而我
UP
（通过800 Ω的电流旁路
电阻器） ≤ 3毫安。
这片电阻衰减了低频振荡
一些廉价的激光器观察。如果芯片上的电阻
不能提供足够的阻尼， 1外部R
Z
（参见图35）
可能是必要的。
耗电量
该ADN2873模具温度必须保持低于125℃ 。该
LFCSP具有暴露的焊盘，它应连接以便
它是在相同的电位ADN2873 GND引脚。
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