ADN2860
表6. RDAC R / W EEPROM地址（ CMD / REG = 0 ， EE / RDAC = 1 ）
A4
0
0
0
0
0
0
0
A3
0
0
0
0
0
0
1
A2
0
0
0
0
1
1
...到...
1
A1
0
0
1
1
0
0
1
A0
0
1
0
1
0
1
1
字节说明
RDAC0 8个LSB
RDAC0 MSB
RDAC1 8个LSB
RDAC1 MSB
RDAC2 7位
11 RDAC字节用户EEPROM
表7. RDAC表命令（ CMD / REG = 1 ）
C3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
C2
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
...到...
1
C1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
C0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
命令说明
NOP 。
还原到EEPROM RDAC 。
1
商店RDAC到EEPROM中。
2
递减RDAC 6分贝。
递减的所有RDACs 6分贝。
递减RDAC一步。
递减的所有RDACs一步。
复位。恢复EEPROM所有RDACs 。
2
增量RDAC 6分贝。
增加所有RDACs 6分贝。
增量的RDAC一个步骤。
增加所有RDACs一步。
版权所有。
1
2
命令离开该设备在EEPROM中读取电源状态。发出NOP命令将设备返回到空闲状态。
命令要求执行后，确认投票。
RDAC接口操作
每个可编程电阻抽头设置是通过控制
具体的RDAC寄存器，如表5所示。每个RDAC
寄存器对应于一个EEPROM存储器位置，这
提供非易失性存储雨刮器的功能。
RDAC寄存器和它们相应的EEPROM存储器
的位置进行编程，并且从每个独立地读
等。该RDAC寄存器由EEPROM的刷新地点，
无论是通过引脚1硬件复位，或发出之一
在表7中所示的各种RDAC寄存器加载命令。
与EEPROM写操作，任何EEPROM RDAC
（快捷键命令2 ）写操作禁止我
2
C
在内部写周期接口。应答查询，
如在EEPROM接口部分所述，需要向
确定写周期是否完成。
RDAC阅读
该ADN2860提供两个RDAC读操作。第一，
在图23中所示，读出当前的RDAC的内容
地址计数器。图24示出在第二读取操作中，
它允许用户指定要读取由RDAC寄存器
首先发出一个虚写命令来更改RDAC
地址指针，然后在继续读RDAC
运行在新的地址位置。
只读的RDAC的EEPROM的存储单元也可以是
通过使用表6中所指定的地址和读出的位。
写RDAC
设置抽头位置需要一个RDAC写操作，
在图22所示的RDAC写操作遵循的格式
类似EEPROM写接口。唯一的区别
一个RDAC写入和EEPROM写操作之间是
到位的内存地址使用RDAC的地址字节
在EEPROM写操作使用。该RDAC地址字节
详细在表5和表6中描述。
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