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功能说明
内部功能块描述
损伤（低侧MOSFET开启） 。过热保护
保护电路采用滞后。
过温故障情况报告上的地位
输出。
为V
GS
和V
DS
测量在相对于33486A
接地端子，至关重要的是，低侧源是
连接到这个相同的理由，为了防止假
过流检测，由于地面的变化。
高侧过流保护
在33486A采用的电流关断阈值
35典型。当由于到达过载此限
状态或短路接地时，故障输出是三态的。
要清除故障，输入（ INN ）线需要返回低电平，则
在接下来的高转换输出将被启用。
此信息被报告在状态输出。
热管理
高侧块被组装成一动力表面
贴装封装。这个包提供了较高的热
性能和大电流的能力。它提供
10个终端每包边和一个额外的
连接，它是包散热器（被叫终端
21 ） 。散热器作为设备电源VBAT连接。
结到外壳热阻为2.0
°
C / W
最大。结点至环境热阻
依赖于该安装技术，如果一个附加的
散热器被使用。一个最常用的安装的
技术包括使用所述印刷电路板与所述的
铜线的散热片。
图7
是印刷电路板布局的一个例子。它
总共有10厘米
2
在两侧上附加铜（2.5厘米
2
在顶侧和7.5厘米
2
不利的一面） 。
底侧PCB
8.0厘米
2
顶侧PCB
2.0厘米
2
低端座
低边块具有控制电路，用于两个外部
N沟道功率MOSFET。低侧控制电路是
PWM能够和保护低端MOSFET的情况下
过流（短路到V
BAT
） 。该信息被报告
状态输出。
低侧栅极控制是钳位在14V时最大
为了保护低边MOSFET的栅极。
图13中，
页面
15,
和
14,
页面
15,
描绘的特征
低侧块时，电流从GLS销源或
从GLS销sinked分别。
在正常的操作中，输出OUT1和OUT2都
由高压侧驱动。低侧栅极驱动器只会使
上的电压时（相同的连接OUT1或OUT2）
内部高边小于2.0 V时，它防止任何
跨导中的桥梁。
33486A
低侧过流保护
不像高侧电流过电流的电路，该过电流
保护不测量电流;更确切地说，它测量
电流对低侧功率MOSFET通过作用
条件： V
GS
> 4.3 V和V
DS
> 1.0 V.当这一套
条件发生3.0
典型（截止时间） ，这两个
输出OUT1和OUT2处于三态。全桥三
说，以防止电机运转的情况下短到V
BAT
.
一旦故障排除后， OUTn的输入INN的
经历了故障，必须以恢复正常复位
模式的操作。
在33486A可以在没有外部低侧使用
的MOSFET仅当过电流保护的情况是不
抵达。如果外部低侧功率MOSFET是不
使用时， 470 pF的电容并联一个100千
电阻器
可以在GLSn销连接，以防止活化
低侧MOSFET的过电流保护。
热
经由来自
顶降频
侧面板
外部印刷电路板（4×4厘米）的
图7.印刷电路板布局范例（不按比例）
通过上述布局，热电阻结点到
25环境
°
C / W，就可以实现。该值被分成：
结到管壳（R
θJC
) = 2.0
°
C / W
案例到环境（R
= CA
) = 23
°
C / W
较低的值可以用较大的帮助下达成和
较厚的金属铜，通过从顶部高一些热
到下侧的PCB ，并且通过使用额外的热的
从电路板到模块壳体。
33486A
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
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