ADF4157
特定网络阳离子
AV
DD
DV
DD
= 2.7 V至3.3 V ; V
P
= AV
DD
至5.5 V ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明;
dBm的简称50 Ω 。
表1中。
参数
射频特性（ 3 V ）
RF输入频率（ RF
IN
)
基准特性
REF
IN
输入频率
REF
IN
输入灵敏度
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
3
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INH
/I
INL
，输入电流
C
IN
，输入电容
逻辑输出
V
OH
，输出电压高
V
OH
，输出电压高
V
OL
，输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
V
P
I
DD
低功耗睡眠模式
噪声特性
优异的相位噪声图
4
ADF4157的相位噪声楼
5
相位噪声性能
6
5800 MHz输出
7
1
2
B版本
1
0.5/6.0
单位
GHz的最小/最大
测试条件/评论
为-10 dBm / 0 dBm的最小/最大。对于较低频率，保证摆
率（ SR ） > 400 V / μs的。
对于f < 10兆赫，确保压摆率> 50 V / μs的。
对于10 MHz的< REF
IN
< 250兆赫。偏置AV
DD
/2
2
.
对于250 MHz的< REF
IN
< 300兆赫。偏置AV
DD
/2
2
.
10/300
0.4/AV
DD
0.7/AV
DD
10
±100
32
MHz的最小/最大
V P-P最小/最大
V P-P最小/最大
pF的最大
μA（最大值）
兆赫最大
5
312.5
2.5
2.7/10
1
2
2
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
VDD - 0.4
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
29
10
207
137
133
87
毫安（典型值）
μA （典型值）
％ （典型值）
kΩ的最小/最大
nA的典型值
％ （典型值）
％ （典型值）
％ （典型值）
V分钟
V最大
μA（最大值）
pF的最大
V分钟
V分钟
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
μA （典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
可编程的。
有R
SET
= 5.1 kΩ.
有R
SET
= 5.1 kΩ.
漏极和源极电流。
0.5 V < V
CP
＆ LT ; V
P
– 0.5.
0.5 V < V
CP
＆ LT ; V
P
– 0.5.
V
CP
= V
P
/2.
开漏1 kΩ的上拉至1.8 V.
CMOS输出选择。
I
OL
= 500 μA.
23毫安典型。
@ 10 MHz的PFD频率。
@ 25 MHz的PFD频率。
@ VCO输出。
@ 2 kHz偏置， 25 MHz的PFD频率。
对B版本的工作温度为-40 ° C至+ 85°C 。
交流耦合，确保AV
DD
/ 2偏置。
3
通过设计保证。样品测试，以确保合规性。
4
该图可以被用来计算相位噪声的任何应用程序。用公式-207 + 10log （F
PFD
）+ 20logN向看去计算的带内相位噪声性能
在VCO的输出。
5
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出和相减20logN （其中N为N分频器值）。
6
相位噪声测量与EVAL- ADF4157EB1Z和Agilent E5052A相位噪声的系统。
7
f
REFIN
= 100 MHz的; F
PFD
= 25 MHz的;偏移频率= 2千赫; RF
OUT
= 5800.25兆赫; N = 232 ;环路带宽= 20 kHz的。
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