W682388布局指南版本1.3
5.布局检查表
执行下列步骤，以具有高品质，低噪声性能：
1.将W682388评估板/例子布局尽可能接近。
2.将直流 - 直流转换器的W682388设备的引脚17-32作为该评价近
板。
3.将在前端的保护电路在无电源/接地平面。
4.隔离模拟前端电源（ VDD1 ， VDD2 ， VDD3 ， VDD4 ）和地（ GND1 ， GND2 ，
GND3 ， GND4 ， VSSP ）通过将它们连接到主3.3V /使用铁氧体磁珠接地平面。
5.将模拟走线远离数字的痕迹。远离引脚17和W682388 32 。
6. VDD电容应放置在靠近电源和接地引脚。将所有电源和
之间的电源引脚和旁路电容的接地连接与短
痕迹。
如果主板有四个或更多层，理想7.使用单独的GND和数字走线层
通过电源/接地平面分开。
8.将感测电阻器（ R18，R19 ， R20，R21 ，R22，R23 ， R24，R25 ， R26 ， R27 ）时， IREF
电阻（ R31）和跨导电阻（ R29 & 30 ）尽量靠近引脚放置。
在路径中没有数字的痕迹。
9.宽度的高电流迹线（即DC到DC转换器等），应至少为50密耳。
10.宽度Tip和Ring迹线必须尽可能宽。
11.保持与直流 - 直流转换器中分离的组件和痕迹。避免运行
这些元件和走线追踪而去。
12.一个直流 - 直流转换器必须具有一个单独的接地迹线导致返回到电源如
在图1中示出。
13.最小化由所述电流检测电阻， R2为（ R 38 ）所形成的表面区域，并且电压
检测电阻RDH和RDL （ R41& R42 ） 。将电压检测电阻接近
W682388 。路线以RIS之间的电压检测跟踪到一对RDH和RDL紧
平行或在彼此的顶部上的两个单独的层。
执行下列步骤来优化模拟前端：
1.将销W682388的49-65类似于评估板附近的分立晶体管。
2.补偿电容应如下：
1. C9尽可能接近到晶体管QR1_C1和QR3_C1集电极。
2. C12尽可能接近到晶体管QT1_C1和QT3_C1集电极。
3. C8尽可能接近到晶体管QR1_C2和QR3_C2集电极。
4. C5尽可能接近到晶体管QT1_C2和QT3_C2集电极。
该AFE晶体管QR3 / QT3 （ SOT- 223 ）和QR1 / QT1 （ SOT- 89 ）应该已经暴露的铜垫
有助于减少这些部件的热阻。所述用于在所述散热器的铜量
与印刷电路板的表面区域相结合可以提高晶体管封装的散热。
以增加铜的区域时，电路板空间有限的一个方法是连接用于热垫
通过使用多个层下沉。的顶侧和底侧可与多个导通孔连接它们被用于
在一起。最佳的铜面积的散热片采用SOT- 223是1平方英寸。此方法类似于热
下沉用于QFN封装。 （请参阅第4 QFN接地）
AN- CS006a_W682388 PCB Layout.doc
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