飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW6S010N
第3版， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为A类或AB类基站应用的频率
到1500兆赫。适合于模拟和数字调制和多载波
放大器应用。
典型的双 - 在960 MHz的音调表现： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
125毫安，P
OUT
= 10瓦特PEP
功率增益 - 18分贝
漏极效率 - 32 ％
IMD - - 37 dBc的
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 960兆赫， 10瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
对 - 宽带稳定性芯片射频反馈
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
200℃有能力塑料包装
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 R1后缀=每24毫米， 13英寸卷轴500单位。
MW6S010NR1
MW6S010GNR1
450 - 1500兆赫， 10 W， 28 V
横向N - CHANNEL
宽带射频功率MOSFET
CASE 1265至1208年，风格1
TO - 270- 2
塑料
MW6S010NR1
CASE 1265A - 02 ，风格1
TO - 270- 2 GULL
塑料
MW6S010GNR1
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
61.4
0.35
- 65 +175
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 10瓦PEP
符号
R
θJC
价值
(1.2)
2.85
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MW6S010NR1 MW6S010GNR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
