W83321S/W83321G
6.内部框图
VDD
POR
90A
V
REF
0.8V
软启动
坡道
I
SEN
控制
逻辑
BOOT
+
FB
COMP
EA
-
产量
钳
+
-
门
控制
逻辑
VDD
UGATE
振荡器
250KHz
坡道
发电机
LGATE
1.
5Vp
-p
GND
MOSFET栅极驱动器
功率的高边驱动器是通过将引导销。该电压可以通过一个单独的供给，
更高的电压源，或从本地电荷泵结构或偶数的组合提供
2 。
由于低侧MOSFET栅极和高侧MOSFET的栅极的电压被监控
来确定MOSFET的状态，应该仔细考虑到添加的外部元件
栅极驱动器和它们各自的MOSFET的栅极之间。这样做可能会与拍摄开启干扰
通过保护。
电流限制（过电流保护）
电流限制通过检测低侧MOSFET上的电压，同时它是上实现。这
方法提高了变换器的效益分析，并通过消除电流检测降低了成本
电阻器。
而低侧MOSFET导通时， 90uA的恒定电流通过R被强制
OCSET
这是一个
外部电阻器，连接相和ISEN之间，造成一个固定的电压降。这种固定电压
进行比较V
DS
如果是后者越高，芯片进入电流限制模式。在当前的
极限模式既高侧和低侧的MOSFET被关断。经过25ms的延时，软启动
出版日期： 2006年1月，
修订版0.51
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