CY8C20234 ， CY8C20334 ， CY8C20434最终数据手册
2.电气连接特定的阳离子
2.1
符号
T
英镑
绝对最大额定值
描述
储存温度
民
-55
25
典型值
最大
+100
单位
o
C
表2-2 。绝对最大额定值
笔记
较高的贮存温度将降低数据
保留时间。推荐的贮存温度
ATURE是+25
o
C ± 25
o
C.病程延长stor-
年龄温度高于65
o
会降低
可靠性。
T
A
VDD
V
IO
V
IOZ
I
MIO
ESD
LU
环境温度与功耗的应用
电源电压Vdd引脚上相对于Vss
直流输入电压
直流电压适用于三态
最大电流到任何端口引脚
静电放电电压
闩锁电流
-40
-0.5
VSS - 0.5
VSS - 0.5
-25
2000
–
–
–
–
–
–
–
–
+85
+6.0
o
C
V
VDD + 0.5 V
VDD + 0.5 V
+50
–
200
mA
V
mA
人体模型ESD 。
2.2
符号
T
A
T
J
工作温度
描述
环境温度
结温
民
-40
-40
–
–
典型值
最大
+85
+100
单位
o
C
o
C
表2-3 。工作温度
笔记
的温度上升，从环境温度到结
包特有的。看
“热阻”
第27页。
用户必须限制功率变
消费符合这一要求。
2.3
2.3.1
DC电气特性
DC芯片级规范
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ， 3.0V至3.6V和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，或2.4V至3.0V以及-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，分别。典型参数
适用于5V ， 3.3V或2.7V， 25°C时，并仅作为设计参考。
表2-4 。 DC芯片级规范
符号
VDD
I
DD12
I
DD6
I
SB27
I
SB
电源电压
电源电流， IMO = 12 MHz的
电源电流， IMO = 6 MHz的
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和内部低频振荡器活跃。中间温度范围。
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和内部低频振荡器活跃。
描述
民
2.40
–
–
–
–
–
1.5
1
2.6
2.8
典型值
最大
5.25
2.5
1.5
4.
5
V
mA
mA
A
A
单位
笔记
见表标题
“DC POR和LVD规范
范“第14页。
条件是VDD = 3.0V ，T
A
= 25
o
C， CPU = 12
兆赫。
条件是VDD = 3.0V ，T
A
= 25
o
C， CPU = 6
兆赫。
VDD = 2.55V ， 0
o
C
≤
T
A
≤
40
o
C.
VDD = 3.3V ， -40
o
C
≤
T
A
≤
85
o
C.
2006年9月18日
文件编号001-05356修订版* B
12
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