M48T86
小时运营
电容器被用于存储能量用于稳定在V
CC
总线。存储在所述能量
由于产生的低电平电压尖峰或能量将旁路电容将被释放
时过冲发生吸收。 0.1μF的陶瓷旁路电容值（如图
图11）的
建议，以提供所需要的滤波。
除了瞬变是由正常的SRAM操作引起的，功率循环会
生成V的负电压尖峰
CC
驱动它以低于V值
SS
之多
一伏特。这些消极的尖峰可能会导致数据损坏的SRAM ，而在电池
备份模式。从这些电压尖峰来保护，建议以连接
从V肖特基二极管
CC
到V
SS
（阴极连接到V
CC
，阳极V
SS
） 。肖特基二极管
1N5817推荐用于通孔和MBRS120T3推荐用于表面
坐骑。
图11.电源电压保护
VCC
VCC
0.1μF
设备
VSS
AI02169
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