电气特性
表9. XOSC和ICS规格（温度范围= -40至85° C环境）
NUM
C
特征
符号
f
lo
f
hi
f
hi
民
典型
1
最大
单位
1
晶振或谐振器（ EREFS = 1 ， ERCLKEN = 1 ）
低量程（ RANGE = 0 ）
C
高范围（RANGE = 1），高增益（ HGO = 1）
高范围（RANGE = 1），低功率（ HGO = 0）的
负载电容
低范围（RANGE = 0），低功率（ HGO = 0）
D
其他振荡器设置
反馈电阻
低量程，低功耗（RANGE = 0 ， HGO = 0 ）
2
D
低量程，高增益（范围= 0 ， HGO = 1 ）
高量程（ RANGE = 1 ， HGO = X）
串联电阻 -
低量程，低功耗（RANGE = 0 ， HGO = 0 ）
2
低量程，高增益（范围= 0 ， HGO = 1 ）
高量程，低功耗（ RANGE = 1 ， HGO = 0 ）
D
高范围，高增益（范围= 1 ， HGO = 1 ）
≥
8兆赫
4兆赫
1兆赫
晶振起振时间
4
低量程，低功耗
低量程，高功率
C
高量程，低功耗
高量程，高功率
方波输入时钟频率（ EREFS = 0 ， ERCLKEN = 1 ）
FEE模式
D
FBE或FBELP模式
32
1
1
—
—
—
38.4
16
8
千赫
兆赫
兆赫
2
C
1,
C
2
见注
2
见注
3
3
R
F
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
1
—
100
0
0
0
0
200
400
5
15
—
—
—
—
—
—
0
10
20
—
—
—
—
MΩ
4
R
S
kΩ
t
CSTL
t
CSTH
5
—
—
—
—
ms
6
1
2
3
4
f
EXTAL
0.03125
0
—
—
40
40
兆赫
兆赫
在典型列的数据的特点是，在3.0 V， 25 ° C或为典型的推荐值。
负载电容（C
1
,C
2
） ，反馈电阻（R
F
）和串联电阻（R
S
）在内部，当RANGE = HGO = 0中。
见晶体或谐振器制造商的建议。
正确的PC板布局过程必须遵循以实现特定连接的阳离子。
MC9S08QE32 MCU系列数据手册，第1
飞思卡尔半导体公司
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