TPCP8H01
东芝多芯片晶体管
硅NPN外延型，场效应晶体管硅N沟道MOS型
TPCP8H01
2.4±0.1
0.475
1
4
多芯片
分立器件;内置NPN晶体管用于主开关和
N沟道MOS FET驱动器
高
直流电流增益：H
FE
= 250400 （我
C
= 0.5 A） （ NPN晶体管）
ULOW
集电极 - 发射极饱和电压： V
CE （SAT）
= 0.13 V（最大值）
（ NPN晶体管）
- 高速
开关：吨
f
= 25 ns（典型值） （ NPN晶体管）
0.65
2.9±0.1
B
A
0.05
M
B
0.8±0.05
S
0.025
S
0.17±0.02
0.28
+0.1
-0.11
+0.13
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
晶体管
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率（ NPN ）
结温
DC
（注1 ）
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
（注2 ）
T
j
等级
100
80
50
6
5.0
7.0
0.5
1.0
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
1.源
2.收集
3.收集
4.收集
1.12
-0.12
1.12
+0.13
-0.12
0.28
+0.1
-0.11
5.基
6.发射器
7.门
8.排水
JEDEC
JEITA
东芝
-
-
2-3V1E
脉冲（注1 ）
重量： 0.017克（典型值）。
电路CON组fi guration
8
7
6
5
MOS FET
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
通道温度
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
T
ch
等级
20
±10
100
200
150
单位
V
V
mA
°C
1
2
3
4
注1 ：确保结（通道）温度不超过150 ℃ 。
注2 ：设备安装在玻璃环氧基板（FR-4 ， 25.4 × 25.4 × 1.6毫米，铜面积： 645毫米
2
)
注3 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2006-11-13
2.8±0.1
高速开关应用
主开关应用
频闪闪光灯应用
0.33±0.05
0.05
M
A
8
5
