8ETU04SPbF ， 8ETU04-1PbF
公告PD- 21076 08/05
180
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（瓦）
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
DC
RMS限制
170
DC
160
150
140
130
0
2
4
6
8
10
12
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 5 - 最大。允许外壳温度
与平均正向电流
方波（ D = 0.50 ）
额定Vr的应用
见说明（ 3 ）
10
12
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
90
80
70
TRR （ NS ）
500
450
如果= 16A
IF = 8A
VR = 200V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
400
350
QRR （ NC ）
如果= 16A
IF = 8A
60
50
40
30
20
100
di
F
/ DT （ A / μs）内
图。 7 - 典型的反向恢复与迪
F
/ DT
VR = 200V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
300
250
200
150
100
50
1000
0
100
di
F
/ DT （ A / μs）内
1000
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
（ 3 ）使用公式：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
=额定V
R
4
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